原子層沉積
ALD涂層設備
原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是通過氣相前驅體及反應物脈沖交替的通入反應腔并在基底上發生表面化學反應形成薄膜的一種方法，通過自限制性的前驅體交替飽和反應獲得厚度、組分、形貌及結構在納米尺度上高度可控的薄膜。
ALD設備提供創新和靈活的設計，為MEMS和復雜的3D表面沉積高質量的光學薄膜，顯著提高鍍膜產品的性能和使用壽命，設備運行速度快、可靠性高且極易維護。
特點：
?熱法原子層沉積(TALD)和等離子增強原子層沉積(PEALD)可選
?批量鍍膜加工（基材尺寸：8"，10"，12"）
?低溫工藝，塑料基材可鍍
?3D表面鍍膜高保形性
?薄膜均勻、光滑、致密、無針孔
?膜厚精確控制
| 型號 | HC-ALD10 |
| 真空室 | Φ800 x H1300mm |
| 成膜室 | Φ350 x H1000mm |
| 成膜室抽速 | 8.0×10-2Pa≤25min |
| 成膜室極限真空度 | 8.0×10-4Pa |
| 沉積溫度 | Max. 130℃ |
| 基片架 | 10"×48pcs |
| 等離子源 | RF 等離子體源 |
| 前驅體供給源 | 前驅體源瓶、ALD 閥門、前驅體（BDEAS、TMA等） |
| 排氣系統 | 干泵 + 低溫泵 |
| 型號 | HC-ALD10 |
| 真空室 | Φ1000 x H1300mm |
| 成膜室 | Φ400 x H1000mm |
| 成膜室抽速 | 8.0×10-2Pa≤25min |
| 成膜室極限真空度 | 8.0×10-4Pa |
| 沉積溫度 | Max. 130℃ |
| 基片架 | 12"×48pcs |
| 等離子源 | RF 等離子體源 |
| 前驅體供給源 | 前驅體源瓶、ALD 閥門、前驅體（BDEAS、TMA等） |
| 排氣系統 | 干泵 + 低溫泵 |
HCVAC-PVD
