原子層沉積
ALD涂層設備
原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是通過氣相前驅體及反應物脈沖交替的通入反應腔并在基底上發(fā)生表面化學反應形成薄膜的一種方法，通過自限制性的前驅體交替飽和反應獲得厚度、組分、形貌及結構在納米尺度上高度可控的薄膜。
ALD設備提供創(chuàng)新和靈活的設計，為MEMS和復雜的3D表面沉積高質量的光學薄膜，顯著提高鍍膜產(chǎn)品的性能和使用壽命，設備運行速度快、可靠性高且極易維護。
特點：
?熱法原子層沉積(TALD)和等離子增強原子層沉積(PEALD)可選
?批量鍍膜加工（基材尺寸：8"，10"，12"）
?低溫工藝，塑料基材可鍍
?3D表面鍍膜高保形性
?薄膜均勻、光滑、致密、無針孔
?膜厚精確控制
| 型號 | HC-ALD10 |
| 真空室 | Φ800 x H1300mm |
| 成膜室 | Φ350 x H1000mm |
| 成膜室抽速 | 8.0×10-2Pa≤25min |
| 成膜室極限真空度 | 8.0×10-4Pa |
| 沉積溫度 | Max. 130℃ |
| 基片架 | 10"×48pcs |
| 等離子源 | RF 等離子體源 |
| 前驅體供給源 | 前驅體源瓶、ALD 閥門、前驅體（BDEAS、TMA等） |
| 排氣系統(tǒng) | 干泵 + 低溫泵 |
| 型號 | HC-ALD10 |
| 真空室 | Φ1000 x H1300mm |
| 成膜室 | Φ400 x H1000mm |
| 成膜室抽速 | 8.0×10-2Pa≤25min |
| 成膜室極限真空度 | 8.0×10-4Pa |
| 沉積溫度 | Max. 130℃ |
| 基片架 | 12"×48pcs |
| 等離子源 | RF 等離子體源 |
| 前驅體供給源 | 前驅體源瓶、ALD 閥門、前驅體（BDEAS、TMA等） |
| 排氣系統(tǒng) | 干泵 + 低溫泵 |
HCVAC-PVD
